第八代BiCS FLASH厉害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量产
，第代意味着基于BiCS FLASH的害里产品也将得到新一轮升级
。全新的第代BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升，害里特别是第代2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器 。

为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制
，害里铠侠通过专有工艺和创新架构，第代实现了存储芯片的害里纵向和横向缩放平衡 ，所开发的第代CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）和3.6Gbps接口速度 ，源码库害里给AI应用、第代数据中心、害里移动设备提供了更多潜在可能。第代

技术永远不是害里一蹴而就 ，在第八代BiCS FLASH突破限制背后是第代铠侠对技术的不断创新和积累，在第八代BiCS FLASH已经发布的此刻 ，不妨让我们一起看看第八代BiCS FLASH厉害在哪里  。

摆脱高层数的桎梏

与许多芯片制造商宣传的工艺制程，不再代表晶体管之间的实际距离类似，服务器租用NAND堆叠的层数其实也不再是唯一影响存储容量与占用空间之间的关系。在单位空间内想尽办法装入更多的存储单元
，打造高密度的存储设备 ，提升存储密度才是最终的目的 。

在闪存技术由2D转向3D的过程中
，铠侠深刻感受了这一点，虽然通过布线的亿华云微细化，提高了每枚硅模的存储容量和存储密度 ，但当布线宽度达到15nm的时候 ，设计团队发现微观世界下 ，更多问题浮出水面 ，比如各层晶圆制作需要更薄 ，而且进行堆叠会使得晶圆高度有所增高，而为了形成存储单元
，则需要加工出极深且极细的孔 ，这就不可避免的需要导入最先进的设备 ，而这将花费庞大的模板下载成本。

因此单纯的提升堆叠层数可以在一定程度上解决存储密度的问题，但不是提升存储密度的唯一解，在成本可控的前提下实现高密度 、高性能存储成了重要的问题之一 ，对存储通孔深度
、平面方向设计、工艺等各种要素进行优化，横向压缩密度，进而开发出成本与性能都能达到平衡的免费模板产品。218层的第八代BiCS FLASH正是在这样的前提下诞生的。

第八代BiCS FLASH所采用的CBA（CMOS directly Bonded to Array）

两片晶圆
，合二为一

第八代BiCS FLASH首先遇到的问题是CMOS电路和存储单元的晶圆需要不同的温度进行处理，CMOS在高温处理中会遇到晶体管特性恶化的问题，而存储单元制造则需要高温处理来实现对应的云计算特性。如何处理CMOS和存储单元不同温度的需求，工程师给出的最终解决方案便是CBA（CMOS directly Bonded to Array）架构
。

CBA与以往单个晶圆制造CMOS逻辑电路与存储单元完全不同，而是分成了两片分别制造，然后再进行翻转后贴在一起，从而实现不同工艺都可以发挥更大优势
，也可以进一步压缩生产时间。

但两片晶圆贴合不是一件容易的事情，为了确保闪存的可靠性，必须以极高的精度进行对位 ，如果将300mm直径的晶圆贴合 ，精度需要维持在0.003mm以内 ，否则会导致NAND FLASH无法工作 ，或者寿命与可靠性降低。

第八代BiCS FLASH的300mm晶圆

因此在晶圆贴合的时候，晶圆表面需要高强度的平坦化处理，得益于累计的经验 ，铠侠已经能够很好的实现这一点。与此同时 ，在存储密度上  ，第八代BiCS FLASH有了显著提升，即便在NAND层数低于友商的前提下，仍然可以让存储密度高出对手大约15%到20% 。

第八代BiCS FLASH的电⼦显微扫描成像图

图中的粉色线表示贴合面 ，上部为存储单元阵列
，下部为CMOS电路

得益于逻辑电路和结构的优化，第八代BiCS FLASH在提升存储密度的同事，性能也有所提升 ，包括写入性能提高了20% ，读取速度提高了10% ，耗电量减少了30%（写入时） ，接口速度达到了3.6 Gbps
，接口速度表现上也优于同级别产品，从而带动最终产品性能提升
，比如SSD、UFS存储器等等。

由于在第八代BiCS FLASH中导入了CBA架构而使千兆位密度得到了大幅度的提高

为AI提供更多可能

第八代BiCS FLASH推出的同时 ，基于第八代BiCS FLASH的QLC存储器也已经开始送样，铠侠通过QLC技术打造了目前业界最大容量的2Tb规格，这意味着当一个封装内堆叠16个Die的时候 ，就能做到单个存储芯片实现业界领先的4TB容量，2个存储芯片就可以实现16TB容量。

同时 ，存储芯片也使用了更为紧凑的封装设计，尺寸仅为11.5 x 13.5 mm，高度为1.5 mm ，可以更好的节省机器的内部空间  。特别对于轻薄型笔记本而言，只需要1个M.2 2280接口，配合单面的消费级SSD设计，就可以实现16TB的存储空间，装载更多大模型、视频素材、3A游戏变得轻而易举。

同样如果应用到诸如手机的移动端中，在相同的物理空间内，OEM和ODM也有机会装入更大容量的存储 ，让智能手机跨入2TB以上的存储空间变得更为简单。相比现在主流的第五代BiCS FLASH QLC产品，第八代BiCS FLASH 2Tb QLC的存储密度提升了约2.3倍 ，写入性能提高了约70%。

服务器与数据中心领域更是第八代BiCS FLASH 2Tb QLC发挥价值的地方 。随着人工智能AI推动密集型数据运算  ，迫使HBM（高频宽内存）在数据中心的服务器上的应用不断深入 ，但是其耗电量极高 。因此，市场对低耗电量的小型、轻量型SSD的需求越来越大。第八代BiCS FLASH 2Tb QLC可以做到单个企业级SSD就能实现现有产品无法企及的大容量，并且耗电量更小 、更轻量化，进而促使HDD向SSD升级的速度 。

第八代BiCS FLASH的目标是应用于更为广泛的用途 ，包括与越来越多被PC所采用的PCIe 5.0兼容的SSD，以及面向智能手机的存储设备、数据中心SSD、企业级SSD以及车规级存储设备，相信不久的将来
，基于第八代BiCS FLASH的产品将会越来越多
，铠侠将与合作伙伴们一起
，为存储创造全新的价值。

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